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来自三星先进技术研究院(Samsung Advanced Institute of Technology)的一个研究小组提出新的三端器件，能够克服之前将石墨烯集成到电路中的问题。“Barristor”一词来源于“可变势垒晶体管(variable barrier transistor)”。
石墨烯是单层碳原子，它已经引来很多关注，因为石墨烯的电子迁移率比硅高两百倍。但石墨烯一度只是导体和绝缘体——直到半导体石墨一氧化碳近期被发现。石墨烯的金属特性及其强导电性也伴随着缺少电滞和开关导通机制的缺陷。
三星在一份申明中表示，将石墨烯转换为半导体会降低它的电子迁移率，给它的优势打折扣，从而导致业界对石墨烯晶体管可行性生疑。
三星先进技术研究院是三星电子的核心研发力量，它的研究团队近期发表了石墨烯势垒晶体管(Graphene Barristor)论文。石墨烯势垒晶体管是一种采用栅控肖特基势垒(Gate-Controlled Schottky Barrier)的三极管器件，论文于5月17日通过《Science》杂志在线发布。
申明称三星先进技术研究院开发出一种器件，能够在不影响迁移率的情况下关闭电流。关键是石墨烯和氢化硅之间的一条原子般纤细的接口，并且通过调节栅极电压控制石墨烯-硅肖特基势垒实现105的开关速度。
研究人员报告称p型和n型石墨烯势垒晶体管以及逆变器和半加法器逻辑电路的生产都在150mm晶圆上完成。三星先进技术研究院称自己拥有九项石墨烯势垒晶体管结构和运行方法相关的主要专利。
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