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过去两年里，霍尔斯特中心支持赢创优化新型半导体技术iXsenic® S的材料和工艺。如今，双方的合作将更进一步，两家公司延长了合约，并将为一家主要客户实现革命性技术的量产
在合作期内，霍尔斯特中心和赢创进一步优化了iXsenic技术。对外界而言，主要成果包括：
-高性能液态可加工半导体iXsenic® S用于驱动聚酰亚胺衬底的柔性AMOLED显示屏，该产品已于2014年SID国际信息显示学会显示周上展示。
-与松下共同开发的8位元薄膜微处理器证明iXsenic® S也能用于印制工艺，该装置已于今年的国际固态电路年度会议亮相。
如今，双方的合作进入了新的阶段：赢创的一家主要客户将会向其工厂引入革命性的半导体层（iXsenic®S）材料，并与其狭缝涂布工艺相互完善搭配。霍尔斯特中心将会协助完成这一工艺，而赢创最近成立的应用技术服务中心也将提供亚洲地区的现场技术支持。
“赢创拥有世界上最好的n型液态工艺氧化物半导体。在近期的合作中，霍尔斯特中心展示了可靠的工艺水平，采用iXsenic® S于大面积涂布工艺并实现电荷载流子迁移率超过10cm2/Vs，”霍尔斯特中心有机物及氧化物晶体管项目经理Gerwin Gelinck说道。“这种最前沿的材料和工艺将会投入量产，成为显示器制造新时代的开端。”
“凭借卓越的专业技术，霍尔斯特中心为优化我们的iXsenic技术提供了有力的支持，”赢创副总裁Ralf Anselmann说道。“在下一阶段的发展，霍尔斯特中心将是协助尽快实现该工艺导入量产的最好选择。”
iXsenic® S是一种液态可加工的无机金属氧化物半导体，可藉由狭缝涂布工艺进行使用。该产品无需真空环境，因此可实现工艺简化、高产量和低成本优势。应用领域包括柔性或非柔性高分辨率LCD和OLED显示器。
如需了解更多信息，请访问我们的网站www.iXsenic.com（英文）和www.iXsenic.com.cn（中文）。
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