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成都市新都道和电工研究所
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晶控仪
晶控仪
成都市新都道和电工研究所研发的晶控仪可以利用自身的闭环回路对镀膜过程中膜料的沉积速率、膜层厚度进行实时的监测和控制，以使镀膜效果达到最佳状态。DH-360C具有调试方便、操作简单、正面输入、功能齐全等特点。
主要特点：
1. 功能强大：可同时对四个单探头、双探头或多探头连接和控制。可以储存多达99种工艺过程，999种定义 膜层和32种完整定义的材料。
2. 使用灵活：有更多的材料及系统参量进行控制，包括多段速率爬升、可编程离散输入/输出及2.5～10 MHz 的感应晶片。
3. 充分的软件支持：软件充分支持DH -360C膜厚控制仪。它可以简化启动过程、调试过程及微调等复杂过程。它还可以实现工艺过程、系统和运转状态数据的完整存档。
4.操作简便：可操作的菜单控制界面。具有内置预存储材料库、命名的工艺过程和膜材搭配。
5.主要测量特性：•频率分辨率 在6.0 MHz时0.03 Hz
•质量分辨率 0.375 ng/cm2
•感应晶片频率 2.5, 3, 5, 6, 9.5, 10 MHz
•膜厚显示 0.000～ 999.9 KA
•成膜速率 00.0～999 Ang/sec (0~9.99μm/min)
•膜层数量 1～999
联系方式
成都市新都道和电工研究所
地址：成都市新都区宝光大道南段386号
电话： 请点击此处与厂家联系
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