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分立器件测试图示仪EN-2005C  （点击图片放大） EN-2005C分立器件测试图示仪适用于研究所、院校、军工企业、电子产品厂家，用做绘制晶体管特性曲线，用做测试晶体管的直流参数，测试结果可以保存为ｔｘｔ＼ｘｌｓ＼ｂｍｐ三种数据格式。 一、分立器件测试仪特点 1. 曲线基于计算机显示 2. 多种器件的多种曲线 3. 数据点是可控的 4. 增量可以是线性或对数 5. 可控的关断时间，以减小器件发热 6. 可保存和调用曲线程序 7. 保存和调用先前捕获的曲线图片 8. 完全自动存储数据到excel 9. 预置最大电压和最大电流限制防止器件损坏和发热 10. 存储/调用测试程序 11. 多样的连续曲线 12. 在测试程序中的电流限制 13. 使用方便 ①选择曲线 ②输入范围 ③按下启动 14. 使用高速ATE系统生成曲线 二、分立器件图示仪系统指标 a-k 极间加压范围: ±2.500mv--2000v a-k 极间测流范围: ±100pa--49.90a a-k 极间加流范围: ±100na--49.90a a-k 极间测压范围: ±2.500mv--2000v g-k 极间加压范围: ±2.500mv--20v g-k 极间测流范围: ±100pa--10a g-k 极间加流范围: ±100na--10a g-k 极间测压范围: ±2.500mv--20v a-k 极间加/测压精度: 1%+10mv a-k 极间加/测流精度: 1%+10na+20pa/v g-k 极间加/测压精度: 1%+5mv g-k 极间加/测流精度: 1%+10na+20pa/v 电参数测试重复性： 2% 最大电压分辨率: 1mv 最大电流分辨率: 100pa 三、分立器件图示仪可实现曲线（13类器件32种曲线） 1、mosfet（n-channel＆p- channel）（金属-氧化物-半导体 场效应管） id vs vds (在vgs范围内) id vs vgs (在一个固定的id) is vs vsd rds vs vgs (在一个固定的vds) rds vs id (在vgs范围内) 2、晶体管（transisitor） hfe vs ic bvce(o.s.r.v) vs ic bvebo vs ie bvcbo vs ic vce(sat）(在一定的ic/ib比率) vce(sat) vs ib（在ic的范围内） vbe(sat) vs ib (在一定的ic/ib比率) vbe(on) vs ic (在一定的vce) 3、igbt（n-channel＆p- channel）（绝缘栅双极晶体管） ic vs vce (在vge范围内) ic vs vge (在一定的vce) ices vs vce if vs vf 4、diode (二极管) if vs vf ir vs vr 5、zener (稳压管) if vs vf ir vs vr 6、triac (双向可控硅) it vs vt(+/-) (在一个固定的ig) 7、scr (单项可控硅) it vs vtm (在一个固定的ig) 8、ssvop（固态过压保护器） it vs vt(+/-) (在一个固定的ibo) 9、sidac（高压触发二极管） it vs vt(+/-) (在一个固定的ibo) 10、diac(双向触发二极管) id vs vf(+/-) 11、regulator(稳压器) electronic load vs v out(在一个固定最大电流) 12、j-fet(（n-channel＆p- channel）) (结型场效应管) id(off) vs vds(在vgs范围内) id(off) vs vgs（在一个固定的vds） id(on) vs vds(在vgs范围内) id(on) vs vgs（在一个固定的vds） 13、curve tracer mode only(曲线跟踪模式) ic vs vce（在一个固定的ib） |
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