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美国TRION公司等离子增强化学气相沉积系统PECVD  （点击图片放大） 北京创世杰公司提供美国Trion公司的Orion III系列等离子增强化学气相沉积（PECVD）系统、Phantom III系列反应离子刻蚀机（RIE，DRIE，ICP等）和Apollo型等离子去胶机。美国Trion公司为化合物半导体、MEMS（微机电系统）、光电器件以及其他半导体市场提供多种等离子工艺设备。美国TRION公司提供的Orion III系列等离子增强化学气相沉积（PECVD）系统、Phantom III系列反应离子刻蚀机（RIE，DRIE，ICP等）和Apollo型等离子去胶机在业内以系统占地面积小，成本合理而著称，且设备及工艺可靠性和稳定性久经考验。美国TRION公司提供的Orion III系列等离子增强化学气相沉积（PECVD）系统、Phantom III系列反应离子刻蚀机（RIE，DRIE，ICP等）和Apollo型等离子去胶机系列产品既包含成套的批量生产设备，也有用于科研开发的系统。 Orion III 等离子增强型化学气相沉积系统 设备主要性能指标: 1. 适于实验室和小规模生产线 2. 适合沉积氧化硅、氮化硅、氮氧化硅以及非晶硅等薄膜 3. 可使用的工艺气体：SiH4（含量<20%）、NH3、TEOS、SiH2Cl2、N2O、O2以及N2等 4. 基片台尺寸为200mm或300mm 5. 最大基片尺寸300mm，兼容更小尺寸的基片 6. 标配功率300W、频率350-460kHz的等离子激发源（底部源） 7. 从反应腔室顶盖处直接装卸基片 8. 配备工艺压力下游自动控制系统 9. 标配4路，最多8路质量流量计控制的工艺气路，采用超洁净管路及VCR接头 10. 基于计算机的配方式工艺控制系统，彩色触摸屏操控 11. （可选）增加功率600W、频率13.56MHz的高密度等离子激发源（顶部源），优化薄膜应力控制 12. （可选）基片加热温度控制50℃至400℃ 13. （可选）油泵、干泵及分子泵 14. （可选）Loadlock预真空锁腔室 15. （可选）ICP电感应耦合等离子源 同时，本公司还可以提供美国Trion公司用于批量生产型的Titan型和Oracle III型多腔室型生产型的等离子增强化学气相沉积系统PECVD和反应离子刻蚀系统RIE（含ICP、HDICP、深硅刻蚀等）。 |
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