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北京京运通科技股份有限公司
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单晶硅生产线/单晶硅生产设备
单晶硅炉 > jrdl-800

序号 项目 参数
1 型号 JRDL-800
2 名称 单晶硅炉
3 电源电压 380V
4 电源频率 50Hz
5 电源相数 3相
6 加热方式、加热元件 电阻加热、石墨加热器
7 主变压器容量 190KVA
8 主加热器最大功率 140KW
9 主加热器最高加热电压 60V
10 整机功率 ≤150KW
11 炉内最高温度 1600℃
12 冷态炉内极限真空度 ﹤3Pa
13 冷态真空泄漏率 ﹤1Pa/5min
14 副室打开时主炉室真空度 ﹤3Pa
15 生长晶体的直径范围 6″—8″
16 熔料重量 60kg
17 原料 多晶硅原料
18 硅单晶等径长度 ≥1000㎜
19 等径精度 ±2.5mm CCD控制系统 ±1mm
20 单晶硅生长时间/炉 ≈30h
21 主炉室尺寸 Ф800×1150㎜
22 中炉室尺寸 Ф800×800㎜
23 下炉室尺寸 Ф800×350㎜
24 翻板阀通径 Ф260
25 副室内尺寸 Ф260×2220㎜
26 两电极间距 436㎜
27 机械泵配置 副室配用TR-24直连泵，主室配用2H—70滑阀泵
28 籽晶拉速范围 0.1—10㎜/min
29 籽晶快速 ≥160㎜/min
30 籽晶转速范围 2—40rmp
31 坩埚升速范围 0.02—1㎜/min
32 坩埚转速范围 1—30rmp
33 坩埚在炉内有效行程 ≥350㎜
34 籽晶在副室内有效行程 1400㎜
35 水炉系统回水点最高温度 40℃，在50℃时报警
36 主机总高 6360㎜
37 要求厂房高度 ﹥7600㎜
38 主机重量 ≈4000㎏
39 主机占地面积 2800㎜×2000㎜
40 整机占地面积 5000㎜×3000㎜
41 防震沟要求 机械泵与主室之间要有防震沟，并且距离≥3m
42 设备相互之间距离 ≈2m
43 进水量的要求（压力、流量） 压力0.15—0.2Mpa，流量20立方米/h
44 冷却水进水口温度 ﹤25℃
45 冷却水用量/台 ≥15立方米/h
46 氩气用量/台 3000L/h
联系方式
北京京运通科技股份有限公司
地址：北京经济技术开发区经海四路158号
电话： 请点击此处与厂家联系
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