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东莞市普隆电子有限公司
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IGBT突波吸收电容器PULOM
缓冲线路，可控硅整流线路，开关电源保护线路。 IGBT，MOSFET突波吸收 。
高电压，高脉冲，高du/dt

材料特性
电容结构: 双层金属化膜，内部串联结构
封装: 阻燃塑胶外壳，环氧树脂封装，符合(UL94V-0 )标准.
尺寸: 适合于各种IGBT保护 。
(可按客户需求定制特殊规格)
电气特性
电容量: 0.001 to 1.5μF, 参考表格数据
额定电压: 700 to 2000 Vdc
损耗角正切: 测试条件 1000±20 Hz ， 25±5℃.
Cr≤1.0μF， 4×10-4； Cr>1.0μF， 6×10-4
绝缘电阻: 3000s，s= MΩ. μF 测试条件 1 minute，100Vdc (25±5℃)
耐电压: 1.8Ur (DC)测试条件 2s，t 25±5℃，1Min
工作温度: -40~+85℃
联系方式
东莞市普隆电子有限公司
地址：长安镇上沙工业区
电话： 请点击此处与厂家联系
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