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半导体分立器件参数测试仪EN-2005B
半导体分立器件参数测试仪EN-2005B
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1.电学指标
A-K 极间加压范围: ±100mV--2000V
A-K 极间测流范围: ±100nA--49.90A
A-K 极间加流范围: ±100nA--49.90A
A-K 极间测压范围: ±100mV--2000V
G-K 极间加压范围: ±100mV--20V
G-K 极间测流范围: ±100nA--10A
G-K 极间加流范围: ±100nA--10A
G-K 极间测压范围: ±100mV--20V
最大电压分辨率:5mV
最大电流分辨率:1nA
A-K 极间加/测压精度: 1%+10mV
A-K 极间加/测流精度: 1%+10nA+20pA/V
G-K 极间加/测压精度: 1%+5mV
G-K 极间加/测流精度: 1%+10nA+20pA/V
电参数测试重复性: 2%
2.可测试器件(DUT)种类
序号 类型名称 符号
1 二极管 DIODE
2 稳压(齐纳)二极管 ZENER
3 晶体管 TRANSISTOR(NPN/PNP)
4 单向可控硅(普通晶闸管) SCR
5 双向可控硅(双向晶闸管) TRIAC
6 金属-氧化物-半导体场效应管 MOSFET(N-CH/P-CH)
7 结型场效应管 J-FET(N-CH/P-CH)
8 绝缘栅双极大功率晶体管 IGBT(N-CH/P-CH)
9 达林顿阵列器件 DARLINGTON
10* 光电耦合器 OPTO-COUPLER(NPN/PNP)
11* 光电逻辑器件 OPTO-LOGIC
12* 光电开关管 OPTO-SWITCH
13* 固态过压保护器 SSOVP
14* 硅触发开关 STS,SBS

联系方式
西安谊邦电子科技有限公司
地址:西安市雁塔区雁翔路99号博源科技广场C座三层
电话: 请点击此处与厂家联系

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