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半导体分立器件参数测试仪EN-2005B (点击图片放大) 1.电学指标 A-K 极间加压范围: ±100mV--2000V A-K 极间测流范围: ±100nA--49.90A A-K 极间加流范围: ±100nA--49.90A A-K 极间测压范围: ±100mV--2000V G-K 极间加压范围: ±100mV--20V G-K 极间测流范围: ±100nA--10A G-K 极间加流范围: ±100nA--10A G-K 极间测压范围: ±100mV--20V 最大电压分辨率:5mV 最大电流分辨率:1nA A-K 极间加/测压精度: 1%+10mV A-K 极间加/测流精度: 1%+10nA+20pA/V G-K 极间加/测压精度: 1%+5mV G-K 极间加/测流精度: 1%+10nA+20pA/V 电参数测试重复性: 2% 2.可测试器件(DUT)种类 序号 类型名称 符号 1 二极管 DIODE 2 稳压(齐纳)二极管 ZENER 3 晶体管 TRANSISTOR(NPN/PNP) 4 单向可控硅(普通晶闸管) SCR 5 双向可控硅(双向晶闸管) TRIAC 6 金属-氧化物-半导体场效应管 MOSFET(N-CH/P-CH) 7 结型场效应管 J-FET(N-CH/P-CH) 8 绝缘栅双极大功率晶体管 IGBT(N-CH/P-CH) 9 达林顿阵列器件 DARLINGTON 10* 光电耦合器 OPTO-COUPLER(NPN/PNP) 11* 光电逻辑器件 OPTO-LOGIC 12* 光电开关管 OPTO-SWITCH 13* 固态过压保护器 SSOVP 14* 硅触发开关 STS,SBS |
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