罗姆发布第二代SiC制MOSFET，可抑制因SBD内置和体二极管导致的通电劣化现象-佳工网




罗姆发布第二代SiC制MOSFET，可抑制因SBD内置和体二极管导致的通电劣化现象 6/18/2012

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（点击放大）罗姆日前发布了耐压为1200V的第二代SiC制MOSFET产品（图1）。特点是与该公司第一代产品相比提高了可靠性、降低了单位面积的导通电阻，以及备有将SiC制肖特基势垒二极管（SBD）和SiC制MOSFET集成在同一封装内的新产品。可靠性方面，第二代产品可抑制在MOSFET内寄生的体二极管通电时产生的导通电阻上升等特性劣化现象，单位面积的导通电阻比第一代产品降低约30％。此次除了单独封装SiC制MOSFET的“SCT2080KEC”外，还有将SiC制SBD和SiC制MOSFET集成在同一封装内的产品“SCH2080KE”，这款产品无需外置SiC制SBD，有助于削减部件个数和封装面积。其优点是，与SiC制MOSFET的体二极管相比，获得相同电流值所需要的正向电压较小（图2）。据介绍，此次是首次采用封装形式提供SiC制MOSFET，第一代产品是以裸片方式供应的，此次发布的第二代产品采用TO247封装。第二代产品的导通电阻为80mΩ，与第一代产品相同。预定2012年6月样品供货，7月开始量产。另外，新产品预定参展2012年7月11～13日举行的“TECHNO 2012”。（记者：根津祯，《日经电子》）（图片）