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| SemiSouth发布耐压为650V和1700V的SiC制JFET 5/21/2012 | |
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 （点击放大）美国SemiSouth Laboratories公司发布了耐压为650V和耐压为1700V的SiC制JFET产品，均为常开型功率元件。 耐压为650V的产品名称为“SJDA065R055”，导通电阻为55mΩ，漏电流在室温时（25℃）为30A，在脉冲驱动时为80A，工作温度范围为-55～+150℃，采用TO-220封装。 耐压为1700V的产品名称为“SJDT170R1400”，导通电阻为1400mΩ。特点是采用了可抑制电感的新型封装“SMD D2PAK-7L”，外形尺寸为16mm×10mm×4.4mm。据介绍，SJDT170R1400专门针对1700V耐压的用途，实现了6.85mm的爬电距离。采用D2PAK-7L封装的产品将从2012年第三季度开始样品供货，采用TO-247-3L封装的产品已经开始样品供货。（记者：根津 祯，《日经电子》） （图片） | |
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