法国CEA-Leti公布“Open 3D”计划，采用TSV试制三维集成元件-佳工网




法国CEA-Leti公布“Open 3D”计划，采用TSV试制三维集成元件 2/7/2012

法国CEA-Leti公布了采用TSV（硅通孔）试制三维集成元件的计划“Open 3D”。参与该项计划的伙伴企业和大学，可利用CEA-Leti参与策划的Minatec Campus（法国格勒诺布尔市）的200mm晶圆生产线享受试制服务。据介绍，可在2012年内采用300mm晶圆进行试制。试制服务中可采用的技术如下：（a）长宽比为3的TSV形成技术；（b）采用微焊点的芯片-晶圆间连接技术；（c）采用凸点的芯片-基板间连接技术；（d）再布线层（RDL）的形成技术；（e）凸点下金属（UBM，Under Bump Metal）成形技术；（f）暂时贴合、薄化和剥离技术。除了TSV形成和芯片接合等试制服务外，参与者还可以享受3D设计、布局、可靠性测试以及最终封装等技术服务。另外，关于此次设想的三维集成元件主要用途，CEA-Leti提到了生物和医疗、宇航、消费类产品、国防、安全以及基础研究等。（记者：木村雅秀，《日经电子》）