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PHEV和EV普及之时,SiC/GaN器件大显身手之日 1/19/2012
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SiC(碳化硅)和GaN(氮化镓)器件的普及似将在插电式混合动力车(PHEV)和电动汽车(EV)销量猛增之际展开。法国Yole Developpement市场分析师预测道。
如果您认为EV已经是一项成熟的技术,恐怕还需要再做斟酌。EV如今还处在上升初期,据Yole Developpement的最新报告“Power Electronics for Hybrid & Electric Vehicles”的预测,2012年到2020年间,全球的销量将增至现在的7倍。报告还显示,到2020年,混合动力车(HEV)与EV的总销量一年将达到5600万辆。并且,直到目前,一直被视为EV获得商业成功关键因素的SiC和GaN器件尚未得到EV的采用。

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Si晶体管将早于SiC和GaN在逆变器用途上普及,但SiC和GaN或许能够赶上EV大规模商用化的时期。(图:Yole Developpement)

Si晶体管将早于SiC和GaN在逆变器用途上普及,但SiC和GaN或许能够赶上EV大规模商用化的时期。(图:Yole Developpement)

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