Vishay Siliconix扩充PowerPAIR®双芯片不对称功率MOSFET家族-佳工网




Vishay Siliconix扩充PowerPAIR®双芯片不对称功率MOSFET家族 11/14/2011

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（点击放大）新的25V和30V器件大大简化了高效DC/DC转换器的设计宾夕法尼亚、MALVERN — 2011 年 11 月14 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新器件---SiZ300DT和SiZ910DT---以扩充用于低电压DC/DC转换器应用的PowerPAIR®家族双芯片不对称功率MOSFET。新器件扩大了该系列产品的电压和封装占位选项，使Vishay成为3mm x 3mm、6mm x 3.7mm和6mm x 5mm PowerPAIR尺寸规格产品的独家供应商。采用PowerPAIR 3 x 3封装的30V SiZ300DT和采用PowerPAIR 6 x 5封装的SiZ910DT提供了新的占位面积选项，扩充了该系列产品。SiZ300DT定位在需要处理10A和以下电流的DC/DC应用，SiZ910DT适用于20A以上的应用。PowerPAIR 3 x 3的面积大约是PowerPAIR 6 x 5的1/3。采用PowerPAIR 6 x 3.7封装的三款新器件是业内首批产品，再加上此前推出的SiZ710DT，使这种尺寸规格器件的电压范围从20V扩展到30V。新的SiZ728DT是首款25V PowerPAIR 6 x 3.7器件，SiZ790DT是采用这种尺寸规格并提供一个板上肖特基二极管的首款器件。SiZ730DT是首个具有最低RDS(on)的30V PowerPAIR 6 x 3.7器件。下表提供了所有五款新器件及SiZ710DT的详细性能规格。有关Vishay的PowerPAIR® MOSFET完整产品组合的信息，请访问http://www.vishay.com/mosfets/powerpair-package/。（图片） Vishay Siliconix PowerPAIR® 家族中的各款器件将两个MOSFET以最优的方式组合在单片封装内，帮助简化高效同步降压单相和多相DC/DC转换器的设计。通过增大低边MOSFET的尺寸以实现更低的传导损耗，器件的不对称配置有效提高了性能表现。Vishay充分发挥TrenchFET® Gen III技术和PowerPAIR®的不对称特点，将低边MOSFET的最大导通电阻降至3mΩ，比同档的不对称器件降低了几乎50%。 PowerPAIR器件为设计者提供了两个封装在一起的MOSFET，能够简化PCB布线并减少寄生电感，从而帮助降低开关损耗并提高效率。新的PowerPAIR器件将在各种电子产品中更有效地使用能源和空间，这些产品包括笔记本电脑和桌面电脑、服务器、游戏机、机顶盒、电视机和调制解调器。新款PowerPAIR器件现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十二周到十四周。


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