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Linear发布为DDR存储器供电的同步降压型稳压器LTC3634 7/4/2011
Linear发布为DDR存储器供电的同步降压型稳压器LTC3634(点击放大)

凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高效率、双通道单片同步降压型稳压器LTC3634,该器件为DDR1、DDR2和DDR3 SDRAM控制器提供电源和总线终端轨。LTC3634 在3.6V至15V的输入电压范围内工作,从而非常适用于双节锂离子电池应用以及5V和12V中间总线系统。LTC3634采用独特的恒定频率/受控接通时间、电流模式架构,这种架构非常适用于从一个12V输入电源以高开关频率给DDR应用供电。其终端电压VTT设定为VDDQ的1/2,可低至0.6V,准确度为±1.6%。单片设计和高达4MHz的开关频率相结合,允许使用纤巧、低成本电容器和电感器,可为DDR电源应用提供一种非常紧凑和高效率的解决方案。
LTC3634的每个通道采用了RDS(ON)仅为65mΩ和130mΩ的内部开关,以提供高达95%的效率。两个通道以180°反相工作,从而最大限度地减小了输入和输出电容的尺寸。一个能驱动10mA负载的内置缓冲器也提供了一个等于VDDQ/2的低噪声基准输出(VTTR)。其他特点包括电源良好电压监视器、输入过压和过热保护以及短路保护。
LTC3634EUFD采用4mm x 5mm QFN-28封装,而LTC3634EFE采用28引线TSSOP封装。两款器件的千片批购价分别为每片4.25美元和4.40美元。工业级版本LTC3634IUFD和LTC3634IFE保证工作在-40℃至125℃,千片批购价分别为每片4.72美元和4.89美元。
性能概要:LTC3634
●3.6V至15 V的输入电压范围
●VDDQ、VTT、VTTR输出
●高达±3A的输出电流
●高达95%的效率
●通道之间可选90°/ 180°相移
●可调开关频率:500kHz至4MHz
●10mA 缓冲式 VTTR= VDDQ/2 = VTT基准
●在 0.75V时准确度为±1.6% 的VTTR
●最佳VOUT范围:0.6V至3V
●电流模式工作实现卓越的电压和负载瞬态响应
●外部时钟同步
●短路保护
●输入过压和过热保护
●电源良好状态输出
●采用(4mm x 5mm) QFN-28和耐热增强型28引线TSSOP封装

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