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宜普电源转换公司宣布推出了第二代eGaN场效应晶体管 6/16/2011
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宜普电源转换公司宣布推出了第二代eGaN场效应晶体管（点击放大）

(FET)系列产品中的最新成员EPC2010，具更卓越性能，不仅环保、不含铅，而且符合RoHS(有害物质限制)指令。
EPC2010 FET是一款200VDS器件，最大RDS(ON)值为25mΩ，栅极施加电压是5V。这种eGaN FET与第一代EPC1010 eGaN器件相比具有明显的性能优势。EPC2010将脉冲电流额定值提高到60A(而EPC1010为40A)，并且改进了很低栅极电压时的RDS(ON)值，电容值也更低。
与具有相同导通电阻值的先进硅功率MOSFET相比，EPC2010体积更小，开关性能更高出许多倍。受益于更高性能eGaN FET的应用很多，其中包括高速DC/DC电源、负载点转换器、D类音频放大器、硬件开关和高频电路。
“宜普是第一家实现氮化镓功率场效应晶体管商用化的公司。随着第二代产品的推出，宜普进一步提升了氮化镓场效应晶体管的性能标杆。另外，宜普的新一代eGaN产品也是首个无铅化且符合RoHS的氮化镓场效应晶体管。” 宜普公司合夥创始人及首席执行官Alex Lidow表示。
EPC2010一千批量时的单价为5.06美元，客户可透过Digi-Key公司于网上购买，网址为http://digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion.page?lang=en
设计支持
宜普推出的开发板EPC9003可以用来演示EPC2010的性能，及帮助加速设计开发工作。详情请浏览http://epc-co.com/epc/documents/datasheets/EPC2010_datasheet_final.pdf
关于eGaN FET的相关资料及技术支持，详列如下：
· EPC2010数据表，可在这网页下载: http://epc-co.com/epc/Products.aspx
· 关于开发板及其它设计支持的资料：http://epc-co.com/epc/ToolsandDesignSupport/DemoBoards.aspx
· 参阅eGaN产品训练素材：http://epc-co.com/epc/ToolsandDesignSupport/ProductTraining/eGaNtradeFETBasics.aspx
· eGan FET应用手册: http://epc-co.com/epc/ToolsandDesignSupport/ProductTraining/ApplicationfeGaNtradeFETs.aspx
表1- EPC2010 Specification Ratings 摘要

（图片）

宜普公司简介
宜普公司是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商，为首家公司推出替代功率MOSFET的硅基增强型氮化镓(eGaN?) FET，其目标应用包括服务器、上网本、笔记本电脑、LED照明、蜂窝手机、基站、微型逆变器及D类音频放大器，器件性能比最好的硅功率MOSFET高出很多倍。详情请浏览我们的网站www.epc-co.com 。
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