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松下公布了2012年开始量产ReRAM（可变电阻式存储器）的计划。首先打算将该产品作为混载存储器配备在MCU上，应用于住宅用火灾报警器等电池驱动设备。据该公司介绍，存储容量为2Mbit左右的样品将于2011年底开始供货。计划由该公司生产MCU、单个半导体及图像传感器等的砺波工厂（富山县砺波市）进行量产。
ReRAM作为存储级内存（Storage Class Memory），兼具闪存的大容量性与DRAM的高速性，因而开发竞争日益激烈。如果松下能够按计划从2012年开始量产，那么该公司将有可能是业界首家实现实用化的公司。该公司打算首先以ReRAM取代闪存作为MCU的混载存储器，其优点是可以降低功耗，延长驱动设备的电池寿命。今后，混载有ReRAM的半导体产品“还存在配备于电视及蓝光光盘录像机等家电产品的可能性”（松下）。
关于ReRAM，松下曾在2008年12月举行的半导体器件相关国际会议“2008 IEDM（International Electron Devices Meeting）”上发布过采用TaOx类材料的存储元件技术。当时公开了采用180nm工艺CMOS技术生产的8kbit测试阵列的评估结果。（记者：大下 淳一）
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