SemiSouth发布耐压为1200V、导通电阻仅45mΩ的SiC制JFET-佳工网




SemiSouth发布耐压为1200V、导通电阻仅45mΩ的SiC制JFET 5/11/2011

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美国SemiSouth Laboratories公司发布了SiC制JFET新产品。其特点是耐压为1200V、导通电阻只有45mΩ。据该公司介绍，该导通电阻“在已经投产的SiC晶体管中最小”，比公认为导通电阻业界最小、美国科锐（Cree）公司生产的耐压为1200V的SiC制MOSFET的80mΩ还要小。（图片）此次发布的新产品共有两种。分别是以裸片(Bare Chip)形态供货的“SJDC120R045”和收纳在TO-247封装中的“SJDP120R045”。封装品可在175℃下工作。SemiSouth已经上市了常闭型SiC制JFET产品，此次上市的新产品为常开型。