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| 上海光机所新型白光LED制备技术通过验收 11/3/2010 | |
| 10月27日，上海光机所夏长泰研究员承担的上海市科委半导体照明专项“新型GaN基LED荧光衬底－掺质铝酸盐晶体生长与性能研究”通过验收。该项目通过优化生长工艺，制备出了稀土离子或过渡金属离子掺杂的MgAl6O10、ScAlMgO4单晶，在新型荧光衬底发光结构的白光LED制备上形成一条新的技术路线。 通过实验，V掺质的MgAl6O10晶体在紫外光激发下可直接得到白光输出，证明它是一种潜在的白光LED荧光衬底材料。在国际上首次在MgAl2O4：Mn2+、Cr3+中观察到了Mn2+和Cr3+两种发光中心之间的能量传递，提出了MgAl2O4：Mn2+、Cr3+单晶可用作GaN基白光LED的荧光衬底。实验也发现MgAl6O10：Mn2+、Cr3+单晶也可用作GaN基白光LED的荧光衬底，并系统研究不同掺杂浓度对MgAl6O10、ScAlMgO4荧光衬底的物化性能和发光特性的影响。该项目还成功地将新型荧光衬底与蓝光LED配合获得了白光输出。宽禁带半导体发光二级管（LED），是固体照明的新型光源，具有广泛的应用价值。 | |
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