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IR上市用于D类音频放大器等的车载功率MOSFET 8/23/2010
IR上市用于D类音频放大器等的车载功率MOSFET(点击放大)

美国国际整流器公司(International Rectifier)上市了3种面向D类音频放大器等高频开关的功率MOSFET。包括耐压(漏源电压)为+60V的“AUIRF7640S2”、+100V的“AUIRF7647S2”及+150V的“AUIRF7675M2”3种。均属于“DirectFET2”产品系列,符合车载零部件质量标准“AEC-Q101”。
该产品的特点是为改善D类音频放大器总谐波失真(THD)和转换效率,削减了全部栅极电荷量(Qg)。比如,+60V耐压品的全部栅极电荷量仅为7.3nC(标准值)。同时还将逆向恢复电荷量(Qrr)降低至24nC(标准值)。除了能改善总谐波失真外,还具有减小EMI(电磁辐射)的作用。最大漏电流为21A。导通电阻方面,栅源间电压为+10V时最大为36mΩ,标准值为27mΩ。栅极电阻标准值是3.5Ω。将这一功率MOSFET用于D类音频放大器输出级、连接8Ω负荷时,可获得100W的输出功率。
+100V耐压品总栅极电荷量为14nC(标准值),导通电阻最大为31mΩ,标准为26mΩ,栅极电阻为1.6Ω(标准值)。+150V耐压品总栅极电荷为21nC(标准值),导通电阻最大为56mΩ,标准为47mΩ,栅极电阻为1.2Ω(标准值)。
封装方面,+60V耐压品和+100V耐压品采用“DF2 S Can”,外形尺寸为4.75mm×3.70mm×0.68mm;+150耐压品采用“DF2 M Can”,外形尺寸为6.25mm×4.80mm×0.68mm。10万个批量购买时的单价方面,+60V耐压品为0.31美元,+100V耐压品为0.54美元,+150V耐压品为0.68美元。

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