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DILAS推出新型准连续高功率半导体激光器垂直叠阵 7/22/2009 | |
DILAS公司推出新型准连续高功率半导体垂直叠阵。该叠阵结构紧凑,波长范围在808nm到9xxnm之间,每个阵列的输出峰值功率高达300W,快轴准直可选。 DILAS高功率半导体激光器垂直叠阵结构紧凑,完全采用金锡融焊接的易集成封装模式,可输出千瓦级以上准连续激光,完全适用于高温环境下的应用,并可作为固态激光器以及国防应用中激光器的理想泵浦源。 传导冷却型垂直叠阵可实现单bar、7个bar以及8个bar的封装模式,在占空比为4%的模式下,单bar功率高达200W。无论在哪种环境下,DILAS先进的封装技术及高精度光学安装,都将使您对阵列的控制得心应手,并实现阵列快轴发散角最小6mrad。 DILAS产品波长可选,并可根据客户需要量身定做产品。另外,DILAS标准模块也可根据客户具体需求订制不同的界面,光束传播特性以及激光器的机械尺寸等。 | |
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