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国际整流器公司（International Rectifier，IR）推出了两款具备100kRads（Si）抗辐射性的功率MOSFET。一款是“IRHLNM87Y20SCS”，采用外形尺寸仅为7.75mm×5.08mm×2.69mm的SMD0.2封装，与原来的SMD0.5封装产品相比，封装面积减小了50％。另一款产品是采用TO-39封装的“IRHLF87Y20SCS”。两款新产品的耐压均为+20V，都是n通道产品，主要用于配备在航天设备和人造卫星上的POL（Point Of Load，负载点）转换器。
新产品采用IR公司自主开发的“R8”技术制造。开关控制支持+5V的CMOS/TTL级信号。IRHLNM87Y20SCS的连续漏电流为18A，导通电阻在栅源间电压为+4.5V时为15mΩ（最大值）、7.0V时为14mΩ（最大值），总栅极电荷为24nC（最大值），输入容量为2336pF（标称值），输出容量为596pF（标称值），反馈电容为147pF（标称值），栅极电阻为0.76Ω（标称值）。IRHLF87Y20SCS的连续漏电流为12A，导通电阻在栅源间电压为+4.5V时为32mΩ（最大值）、7.0V时为31mΩ（最大值），总栅极电荷为27nC（最大值），输入容量为2431pF（标称值），输出容量为592pF（标称值），反馈电容为143pF（标称值），栅极电阻为0.94Ω（标称值）。
封装热阻（接合部与源极之间）方面，SMD0.2封装产品为3.5℃/W（最大值）、TO-39封装产品为8.0℃/W（最大值）。两款产品的工作接合部温度范围均为-55～+150℃。购买250个时的美国市场参考单价方面，两款产品均为594美元。现已开始量产。
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