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| 英飞凌OptiMOS™ 5 150 V大幅降低导通电阻和反向恢复电荷 10/18/2016 | |
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 （点击放大）2016年10月18日，德国慕尼黑讯——英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）发布针对高能效设计和应用的OptiMOS™ 5 150 V产品组合。该产品家族进一步壮大了行业领先的最新一代OptiMOS™ 5功率MOSFET的阵容。新的150 V产品家族专门针对要求低电荷、高功率密度和高耐受性的高性能应用而优化。它是英飞凌面向低压马达驱动、通讯电源同步整流和DC/DC Brick同步整流，以及太阳能电源优化器等系统解决方案的重要组成部分之一。 更环保的技术 英飞凌坚持不懈地研发适用于高能效设计的产品，以帮助减少全球二氧化碳排放。OptiMOS™ 5 150 V有助于实现这一目标，它可以降低电信设备能耗，或者改善电动汽车的功率和续航里程。 与它的下一代最佳替代产品相比，采用SuperSO8封装的OptiMOS™ 5 150 V可以将导通电阻RDS(on) 大幅降低25%。在导通电阻相同的情况下，该产品家族的FOMg比上一代产品优化了高达29%。超低Qrr——比采用它的下一代最佳替代产品SuperSO8低72%——增强了通流耐受性。该产品家族的另一个杰出特性是其更出色的EMI性能。 更多信息请访问：http://www.infineon.com/OptiMOS™5-150V 图片说明：采用SuperSO8封装的OptiMOS™ 5 150 V可以将导通电阻RDS(on) 大幅降低25%。超低Qrr——比采用SuperSO8封装仅次于它的替代产品低72%——增强了通流耐受性。 （图片） （图片） | |
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