 （点击放大）
-Si875x隔离型FET驱动器系列产品有效降低工业和汽车继电器替代应用中的成本和复杂性-
中国，北京-2016年9月22日-Silicon Labs（亦名“芯科科技”，NASDAQ: SLAB）日前推出了基于CMOS技术的突破性隔离型场效应晶体管（FET）驱动器家族产品，这使得开发人员能够使用自己选择的特定应用和高容量的FET去替代过时的机电继电器（EMR）和基于光耦合器的固态继电器（SSR）。新型Si875x系列产品是业内首款隔离型FET驱动器，设计旨在利用集成的CMOS隔离栅传输电源，这消除了通常所需的隔离的次级侧开关电源，减少了系统成本和复杂性。当与分立FET搭配时，Si875x驱动器提供业内一流的EMR/SSR替代解决方案，适用于电机和阀门控制器、HVAC继电器、电池监控、交流干线与通信交换机、HEV/EV汽车充电系统和其他工业和汽车应用等。
欲获得有关Silicon Labs的Si875x隔离型FET驱动器详细信息，包括产品定价、供货、开发工具和数据手册，请浏览网站：www.silabs.com/Si875x。
开发人员传统上在开关应用中使用EMR和基于光耦合器的SSR，并且这两种技术都有局限性。EMR是昂贵、慢速、笨重和产生噪声的，EMR的这些劣势导致SSR的使用上有两位数增长率，但是即使这样也面临诸多挑战。基于光耦合器的SSR有固有的限制，例如由于LED老化而导致更短使用寿命、更高温度时降低性能和可靠性、较差的噪声抗干扰性。另外，它们也只能选择受限的集成FET，进一步损害了性能、成本和功耗。
Silicon Labs基于CMOS的Si875x隔离型FET驱动器提供了更好的选择，能够为使用SSR或EMR的应用降低系统成本和功耗，增强系统性能。因为Si875x驱动器不使用LED或光学元件，它们提供整个使用寿命和温度范围的极佳稳定性。极小封装的Si875x器件提供完全无声的开关特性，这使得它们成为笨重EMR的理想替代解决方案，这些EMR通常受限于电子开关噪声、老化问题，以及量产带来的挑战问题。
Si875x器件通过使用标称10.3V、极低1mA输入电流和1.1ms响应时间来驱动FET门。增加输入电流到10mA可实现极快的94μs接通时间。独特的电源优化选项能够快速获得最大导通电流，然后一旦可选的外部电容放电时，静态保持电流最多可降低到最大导通电流的90%。灵活的2.25至5.5V的输入侧电压支持平滑连接到低功率控制器。Si875x驱动器也具有可选的米勒钳位能力，防止外部FET的意外开启。
Si875x器件具有2.5kVrms隔离等级，能够在整个工业和汽车级温度范围（高达+125℃）进行操作，设计符合严格的UL、CSA、VDE、CQC标准。多功能输入提供数字CMOS引脚控制（Si8751器件）或二极管仿真（Si8752器件），能够很好的适应目标应用，并且灵活的输出支持AC和DC负载配置。
Silicon Labs电源产品副总裁Ross Sabolcik表示：“凭借独一无二的将功能强大、可靠的基于CMOS的隔离技术和通过隔离栅传输电源整合的创新能力，Silicon Labs的Si875x驱动器为陈旧的EMR和基于光耦的SSR提供了不可或缺的替代解决方案。新型Si875x家族产品为开发人员选择应用所需的具有成本效益的FET提供了极大灵活性，也为最先进的固态开关带来最简单的迁移方案。”
Si875x隔离型FET驱动器系列产品优势特点
• 业内首款基于CMOS的隔离型SSR解决方案，支持特定应用的FET。
• 一流的噪声抑制能力，高可靠性和2.5kVrms隔离等级。
• 高压条件下长使用寿命（1000V条件下可达100年）。
• 高效开关：10.3V门电压，仅仅1mA输入电流。
• 2.25至5.5V宽输入电压可实现节能。
• 独特引脚特性可在功耗/开关时间之间优化权衡。
• 米勒钳位防止外部FET意外开启。
• 小型SOIC-8封装，集成了隔离和用于低功耗应用的功率电容器。
• AEC-Q100认证的汽车级器件选项。
价格和供货
Si875x隔离型FET驱动器样片现已供货，并且计划在2016年11月量产。Si875x器件支持小型SOIC-8封装、工业级（-40°C至+105℃）或汽车级（-40°C至+125℃）环境温度工作范围选项。在一万片采购量时，工业级器件单价为0.96美元起，汽车级器件单价为1.20美元起。Si8751-KIT（数字输入）和Si8752-KIT（LED仿真输入）评估套件现已供货，零售价均为39.99美元。采购Si875x产品样片和开发套件，请浏览网站：www.silabs.com/Si875x。
|
（点击放大）