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罗姆于2016年9月13日推出了汽车用MOSFET“AG009DGQ3”，采用安装面积仅3.3mm×3.3mm的HSMT8AG封装，安装高度为0.8mm。与该公司原产品相比，安装面积削减了约64％。新产品符合汽车用分立半导体芯片的质量标准“AEC-Q101”，主要用于发动机ECU（电子控制单元）等用途。
罗姆介绍说，汽车用MOSFET为了保证质量，一般都采用安装面积为5mm×6mm的封装，尤其是要求高可靠性的发动机ECU用途，5mm×6mm被视为小型化的极限。此次通过改良MOSFET芯片技术和封装技术，在确保可靠性的同时实现了小型化。另外，为了提高在印刷电路板上安装时的可靠性，采取了两个措施。一是采用该公司自主开发的端子结构，通过扩大端子宽度提高了接合强度。二是在栅极端子的中央部实施电镀处理，提高了焊料润湿性，将造成栅极端子脱落的焊接裂纹的发生几率降到了原来的一半以下。
此次的新产品为n沟道型，耐压为+40V，最大漏电流为±30A。导通电阻在栅-源间电压为+10V时为8.0mΩ（最大值），+4.5V时为10.0mΩ（最大值）。总栅极电荷为32nC（标称值），封装容许损耗为75W，保存温度范围为-55～+175℃。2016年7月开始样品供货，2016年9月开始以月产400万个的规模量产。样品价格为500日元（不含税）。
此外，罗姆还在开发p沟道型产品——耐压为-45V的“AG001AHQ3”和-60V的“AG010ALQ3”。AG001AHQ3的最大漏电流为±30A，导通电阻在栅-源间电压为+10V时为41mΩ（最大值），+4.5V时为58mΩ（最大值），总栅极电荷为41nC（标称值）。AG010ALQ3的最大漏电流为±26A，导通电阻在栅-源间电压为+10V时为75mΩ（最大值），+4.5V时为90mΩ（最大值），总栅极电荷为29nC（标称值）。投放市场的时间未公布。（特约撰稿人：山下胜己）
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