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萨电子和台积电（TSMC）于2016年9月1日宣布，将以新一代环保汽车及自动驾驶汽车为对象，合作开发采用28nm工艺的MCU。该28nm车载用MCU计划2017年开始样品供货，2020年开始由台积电实施量产。
在90nm以后工艺方面，两公司在委托制造以及内置闪存的MCU的开发方面建立了紧密的合作关系。从4年前开始在40nm工艺的MCU平台方面开展共同开发及委托制造的合作，此次双方将把合作范围扩大至28nm工艺MCU的共同开发。
在此次合作中，双方将把瑞萨的MONOS（Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon）构造的混载闪存技术与台积电的28nm High-K金属栅极技术相融合，开发全球首例28nm MCU。该MCU适用于广泛的车载应用程序，可覆盖以自动驾驶为对象的传感器控制、整合化的ECU、以新一代环保车为对象的高环保性低燃耗发动机，以及用于电动汽车的高效率电机逆变器等领域。
该28nm MCU与瑞萨现行的40nm MCU相比，可实现最大约4倍以上的程序存储容量和4倍以上的高性能，能够满足新一代车载应用方面的多种要求。比如，通过配备大容量闪存，不仅可极为细致地符合各国的环保规定及性能指标要求，而且还可支持以无线方式向安全性更高的控制程序实施更新的技术（Over The Air: OTA）。（记者：小岛 郁太郎）
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