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Vishay新的 BiSy两线超低电容ESD保护二极管为高速数据线提供安全保障 7/27/2016
Vishay新的 BiSy两线超低电容ESD保护二极管为高速数据线提供安全保障(点击放大)

这些小尺寸器件适合智能手机和可穿戴设备,高度小于0.4mm,典型电容低至0.35pF
宾夕法尼亚、MALVERN — 2016 年 7 月27 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新的双向对称(BiSy)两线ESD保护二极管---VBUS05M2-HT1。器件采用超小尺寸的LLP1006-3L封装,可用于便携式电子产品。Vishay Semiconductors VBUS05M2-HT1比SOT32封装的产品节省空间,具有超低电容和漏电流,可保护高速数据线免受瞬变瞬态电压信号的干扰。
今天推出的器件高度不到0.4mm,典型负载电容为0.35pF。VBUS05M2-HT1采用“流通”设计,适合保护智能手机、平板电脑、笔记本电脑和可穿戴设备中的HDMI、DisplayPort、eSATA、USB 3.0、1394/FireWire和Thunderbolt等高速数据线。保护二极管在5.5V工作电压的最大漏电流不到0.1μA,在1mA电流下的典型击穿电压为8.5V,3.6A下的最高钳位电压为18V。
VBUS05M2-HT1能够为数据线提供符合per IEC 61000-4-2要求的±20kV(空气和接触放电)瞬变保护。器件的潮湿敏感的等级(MSL)达到J-STD-020的1级,耐火达到UL 94 V-0,可承受10秒钟的+260℃回流焊。焊接质量可以用标准的视觉检验设备来检查,不需要用X光。保护二极管符合RoHS和Vishay绿色标准,无卤素。
VBUS05M2-HT1现可提供样品,并已实现量产,大宗订货的供货周期为八周。

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