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京大和罗姆试制出全球首款双向SiC MOSFET 6/22/2016
日本京都大学和罗姆的研发小组试制出了耐压3kV、导通电阻20mΩcm2的双向SiC MOSFET,已在“ISPSD 2016”上发布。据称,这是全球首次实现这种MOSFET。
该双向SiC MOSFET主要由两个区域构成,分别是主动区和终接区。主动区作为SiC MOSFET工作。该区域的SiC外延层的厚度为42μm。在n+型SiC基板上使外延层生长,然后利用机械研磨方法去除该基板,在该层直接安装漏电极。
研发人员使试制品在1kV、3A(电流密度为70A/cm2)下工作,与在相同条件下工作的相同耐压、相同导通电阻的SiC MOSFET比较了损耗。双向SiC MOSFET打开时的损耗和关闭时的损耗都与普通的SiC MOSFET相同,但导通损耗减小了35%。(记者:根津 祯)

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