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高通（Qualcomm）2016年2月11日发布了“业界首款”（该公司）最大下行通信速度达到1Gbps的新型LTE调制解调器芯片组“Qualcomm Snapdragon X16 LTE调制解调器”。
据高通介绍，Snapdragon X16 LTE调制解调器采用14nm FinFET工艺，是首款可提供与光纤同等的下行通信速度的商用LTE通信调制解调器。通过实现对LTE Cat.16的支持，使用与Cat.9相同的频段即可达到Gbps级别的通信速度。
最大1Gbps的下行通信速度可在LTE/FDD（频分双工）或TDD（时分双工）时使用256-QAM调制方式、4×20MHz载波聚合来实现。上行速度方面，可在使用2×20MHz载波聚合、64-QAM调制方式时，提供最大150Mbps的通信速度。
而且，Snapdragon X16 LTE调制解调器还支持LAA（辅助授权接入，Licensed Assisted Access，使用非授权频段的LTE通信）。据介绍，在目前要求授权频段为40MHz或其以下水平的情况下，可以在全球范围内使用Gbit级别的LTE。
芯片组还备有新的“WTR5975 RF收发器”。由此可实现同时支持Gbit级别LTE通信和5GHz非授权频段的单芯片RF IC。而且，WTR5975可通过新的数字连接功能，简化调制解调器与收发器之间的连接，从而使LTE设备的印刷电路板的布局设计更简单。另外，还可以与“Qualcomm RF360 QET4100 Envelope Tracker”搭配使用，在使用LTE FDD及LTE TDD时节省电力。
据介绍，Snapdragon X16 LTE调制解调器、WTR5975及QET4100已开始提供样品，首款配备该芯片组的产品将于2016年下半年问世。
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