楼氏新增VC1残余容值系列电容器，扩展容值稳定型范围-佳工网




楼氏新增VC1残余容值系列电容器，扩展容值稳定型范围 12/22/2015

（点击放大）设计工程师在工作中常需要知悉电容器的容值随电压变化而产生的变化，楼市电容器旗下Syfer品牌研制的VC1残余容值系列电容器可满足这一需求。室温条件下，当电压从1Vrms 1kHz逐渐升至额定电压时，VC1系列X7R多层陶瓷电容的容值下降不会超过名义容值的50%。一般来说，电容器的介质材料特性越稳定，则可获取的最高容值就越小。基于1级电介质材料的电容器虽然可实现最高的稳定性、最低的损耗值以及零老化，但却只能获取较低的容值。随着材料和工艺的改进以及对电容器设计和失效模式理解的加深，Syfer在多层陶瓷电容体积效率的提升方面取得了长足的进步。十年前1812、1kV的电容器容值上限为56nF，而现在同样的尺寸和电压下已能达到180nF。 VC1残余容值系列电容可在额定电压下持续工作，但如果工作电压下降，则可获取更多的残余容值。例如，在额定电压80%的电压下工作时，残余容值为名义容值的60%左右。 VC1系列电容尺寸为0805到3640，电压上限3kV，是电源应用、容值敏感型电路、滤波电路和抗电磁干扰电路应用的理想之选。