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意法半导体于2015年12月15日发布了面向车载电源小型化用途的超结（Super Junction）型功率MOSFET。其中运用了该公司独有的“MDmesh DM2”技术。准备了耐压范围为+400～650V的多款产品。均为n沟道品，封装采用D2PAK、TO-220及TO-247。符合车载分立半导体产品的质量标准“AEC-Q101”。该公司称，“+400V耐压品和+500V耐压品符合AEC-Q101标准尚属业界首次。+600V耐压品和+650V耐压品的性能超过其他竞争公司的产品”。
另外，还在一枚芯片上与SJ型功率MOSFET一起，集成了快恢复二极管。采用TO-247封装的+650V耐压品“STB50N65DM2AG”的特性如下：连续时的最大漏电流为38A；导通电阻在栅-源间电压为+10V时仅0.87mΩ（最大值）；总栅极电荷为70nC（标称值）；输入电容为3200pF（标称值）；输出电容为130pF（标称值）；反馈电容为3pF（标称值）；栅极电阻为4Ω（标称值）；反向恢复时间（Trr）为150ns（源-漏极间电流为38A时的标称值），反向恢复电荷（Qrr）为0.96μC（标称值）。该公司称，“快恢复二极管的特性出色，降低了电磁辐射噪声（EMI）。可以削减外置无源滤波器的尺寸”。工作结温范围为-55～+150℃。批量购买1000个时的美国参考单价在3.0～10.0美元的范围内，耐压及封装不同的产品价格各异。
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