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| 东芝推出采用高容许损耗封装的车载用功率MOSFET 10/8/2015 | |
| 东芝于2015年9月29日发布了车用功率MOSFET“SSM3J356R”，采用额定容许损耗（PD）高达1W（DC时）的SOT-23F封装。新产品为-60V耐压的p沟道产品，主要用于驱动汽车前灯和液晶屏背照灯等。驱动LED串联组串时的可用于高边开关。该产品采用散热特性较高的SOT-23F封装，在与现有SOT-89封装品确保同等散热特性的同时，可将安装面积削减64％。新产品符合车载分立半导体芯片的品质标准“AEC-Q101”。 SSM3J356R的最大漏电流为-2.0A，栅极阈值电压范围为-0.8V～-2.0V。导通电阻（标称值）方面，栅-源间电压为-4.0V时为280mΩ，-4.5V时为270mΩ，-10V时为240mΩ。栅极电荷为8.3nC（标称值）。输入电容为330pF（标称值）。 除此之外，东芝还为该产品准备了互补产品——n沟道型功率MOSFET“SSM3K2615R”。（记者：山下胜己） | |
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