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意法半导体于2015年9月7日发布了降低了导通电阻的＋60V耐压的功率MOSFET“STripFET F7 MOSFET系列”。该系列属于n沟道型，不仅降低了导通电阻，还降低了输入输出电容和栅极电荷量。该公司介绍称，“导通电阻与栅极电荷量的乘积——FOM（品质因数）极好”。另外，体二极管的反向恢复电荷很小，因此适合高速开关工作。不仅适用于通信设备、服务器、台式电脑、工业设备的DC-DC转换器，还适用于光伏发电用微型逆变器等。
该系列是采用沟道结构的功率MOSFET。意法半导体推出了封装不同的多款产品。准备的封装有PowerFLAT 5×6、PowerFLAT 3.3×3.3、DPAK、D2PAK、TO-220、2-laed H2PAK及6-lead H2PAK。
采用PowerFLAT 5×6封装的“STL90N6F7”的特性如下：最大漏电流在连续时为90A，脉冲时为360A；栅极的阈值电压最小值为＋2V，最大值为＋4V；栅极-源极间电压为＋10V时，导通电阻为5.4mΩ（最大值）；总栅极电荷为25nC（标称值）；输入电容为1600pF（标称值），输出电容为880pF（标称值），反馈电容为66pF（标称值）；体二极管的反向恢复时间为39.6ns（标称值），反向恢复电荷为36nC（标称值）。反馈电容与输入电容之比很小，因此可以降低电磁辐射噪声（EMI）。最大工作接合部温度为＋175℃。批量购买1000个时，美国的参考单价为0.98美元起。不同封装的所有产品都已开始量产。
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