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CISSOID推出HADES® v2,一款适合高功率密度应用的隔离式栅极驱动器 3/27/2015 | |
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(点击放大) 比利时、蒙-圣吉贝尔 —— 2015 年 3 月 24 日。高温及长寿命半导体解决方案领导者 CISSOID 公司推出第二代 HADES® ,一款高度集成的隔离式栅极驱动器产品。 HADES® 旨在面向基于快速开关碳化硅 (SiC) 晶体管、传统功率 MOSFET 及 IGBT 的高密度功率转换器、电机驱动器和致动器应用。 凭借 CISSOID 产品无与伦比的耐用性,栅极驱动器 HADES® 在严酷的环境下可实现更高可靠性和更长的使用寿命,从而满足系统设计者对航空、汽车、工业、石油和天然气市场的应用需求。 HADES® 包括气密性陶瓷封装和塑料封装两种,前者可以在温度最高达 225°C 的极端温度应用中使用,后者适用于温度不超过 175°C 但侧重点是需要延长使用寿命的系统。 HADES® v2 栅极驱动器包括在隔离式高压半桥中驱动功率开关栅极所需的所有功能。完整的解决方案经过高度集成并采用紧凑封装,能够使快速开关碳化硅功率晶体管发挥所有优势。 芯片组采用三个集成电路:位于一主侧的 HADES2P,另一辅侧的 HADES2S 及最近推出的四-二极管 ELARA。主侧和辅侧芯片均采用陶瓷 QFP 32 针脚或塑料 QFP 44 针脚封装。 主侧芯片 (HADES2P) 将 0.8 欧姆 - 80V集成开关、可配置非重叠及欠压锁定 (UVLO) 故障管理功能嵌入电流型返驰控制器中。还包括一个四通道隔离信号收发器 (2 个 Tx 和 2 个 Rx),用于 PWM 和故障信号从辅侧通过微小脉冲变压器往来传输。 这两个辅侧芯片 (HADES2S)(一个用于高位,一个用于低位)包括一个 12A 驱动器、UVLO、退饱和及超温保护 (OTP) 故障检测电路以及一个双通道隔离式信号收发器。 还包括一个评估套件 (EVK-HADES2),该套件展示置于 HADES v2 栅极驱动器上的半桥及两个 CISSOID 的 NEPTUNE(10A/1200V SiC Mosfet)。 该套件包括一个带有该半桥及完整文档的演示板。该演示板的尺寸仅为 60mm x 55mm (2.4” x 2.2”)。HADES® v2 能够驱动更高功率及其他类型的开关,包括 IGBT 和传统 MOSFETS。 在不久的将来预期将支持驱动 GaN 晶体管。 (图片) | |
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