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| 英飞凌与松下联手开发GaN功率器件 3/12/2015 | |
| 德国英飞凌科技公司（Infineon Technologies）与松下就共同开发GaN功率元件达成协议。将在英飞凌的表面封装（SMD：Surface-Mounted Device）中，嵌入以松下“常闭”（Normally Off）型GaN功率晶体管构造为基础的器件。这是自富士通半导体和美国Transphorm之后，再次有海外企业和日本企业联手开发GaN功率器件。 根据此次达成的协议，松下将向英飞凌提供常闭型GaN功率晶体管构造的授权。据介绍，今后两家公司可以各自单独制造GaN器件。双方计划在2015年3月15～19日举行的功率电子相关会议“Applied Power Electronics Conference and Exposition（APEC）”上，展出采用DSO（Dual Small Outline）封装、耐压为600V、导通电阻为70mΩ的GaN功率器件样品。（记者：根津 祯） | |
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