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| Vishay 推出采用Punch Through(PT)和Field Stop(FS)技术的新Trench IGBT平台 12/22/2014 | |
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 （点击放大）600V和650V IGBT具有低 VCE(ON) 、快速和软开关特性，可用于电机驱动、UPS、太阳能电池和焊接逆变器 宾夕法尼亚、MALVERN — 2014 年 12 月22 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，发布采用Punch Through(PT)和Field Stop(FS)技术的新Trench IGBT(绝缘栅双极型晶体管)平台。Vishay Semiconductors推出的这些器件可提高电机驱动、UPS、太阳能逆变器和焊接设备逆变器的效率，以裸片方式供货，集电极到发射极的电压较低，能够快速和软导通及关断，从而降低传导和开关损耗，650V的击穿电压提高了可靠性。 今天发布的IGBT芯片提供多种裸片尺寸，额定集电极电流从30A到240A，击穿电压为600V～650V，包括Trench PT和FS器件，每种器件都提供已切割或未切割的裸片。 Trench PT器件具有极低的传导损耗，负温度系数使器件在50%额定电流下集电极到发射极电压低至1.07V，在满额定电流和+125℃下为1.34V。通过采用Trench结构，IGBT的尺寸比平面工艺的器件小，具有更高的电力密度和更低的热阻，而不会损失性能和可靠性。Trench PT IGBT适合频率小于1kHz的低开关频率。 在满电流和25℃下，Vishay的Trench FS器件的集电极到发射极饱和电压只有1.45V，可减少传导损耗。器件同时具有快速和软开关特性，既减小功耗，又降低导通和关断损耗。另外，器件的软关断能够降低峰值电压，扩大功率等级，简化电路布局。FS IGBT的工作温度达+175℃，能实现更健壮的设计，在高温(150℃)下的短路额定时间只有6μs，使器件在极重负载和失效情况下也能安全和可靠地工作。器件的饱和电压具有较低的正温度系数，可简化并联设计。 器件规格表： （图片） （图片） | |
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