三星开始量产服务器用3D TSV DDR4 DRAM模块-佳工网




三星开始量产服务器用3D TSV DDR4 DRAM模块 9/3/2014

（点击放大）三星电子2014年8月28日宣布，已开始量产基于TSV（硅通孔）3D堆叠技术的DDR4 DRAM内存模块（RDIMM：双列直插式内存模块）。据三星介绍，这是首款使用3D TSV DDR4 SDRAM的内存模块。已开始量产的RDIMM的容量为64GB，适用于企业级服务器及云数据中心等。这款RDIMM配备了36个DDR4 SDRAM芯片。每个芯片由4块4Gbit的DDR4 SDRAM裸片堆叠而成（每个芯片的容量为2GB），裸片之间通过TSV连接。裸片使用20nm级工艺制造。三星电子2010年开发出的RDIMM，使用的DRAM芯片是将采用40nm级工艺制造的裸片三维堆叠并通过TSV连接制成的，RDIMM容量为8GB。2011年开发的RDIMM使用的DRAM芯片，是将采用30nm级工艺制造的裸片三维堆叠并通过TSV连接制成的，RDIMM容量为32GB。这次的裸片制造工艺进一步微细化，并将RDIMM容量增加到了64GB。另外，三星电子引进了TSV专用生产设备，已开始量产。（特约撰稿人：大原雄介）