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瑞萨电子开发出了采用40nm闪存工艺制造的、面向混合动力车及电动汽车（HEV/EV）的电机控制用途的MCU“RH850/C1x系列”。有瞄准双电机的“RH850/C1H”和瞄准单电机的“RH850/C1M”两款产品。
新产品在使用40nm微细工艺的同时，还集成了采用MONOS（Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon）结构的闪存，这种闪存也是瑞萨的MCU实现差异化的重点。由此，新产品在获得高速读取性能的同时，还实现了低耗电。H850/C1H配备4MB闪存，RH850/C1M配备2MB闪存。另外还面向数据保存用途，内置了与EEPROM的功能基本相同的32KB闪存。
除了这些闪存以及可锁步运行的CPU内核（瑞萨的RH850G3M）之外，还面向电动汽车电机控制用途配备了丰富的周边电路（功能）。比如，通过与多摩川精机合作，采用了该公司的R/D转换器IC新产品“AU6805”的技术，实现了R/D转换器电路（RDC2）。另外，还集成了瑞萨自主开发的电机控制IP内核“EMU2：Enhanced Motor control Unit 2”以及电机控制用定时器“TSG3：Timer S Generation 3”。
利用这些周边电路，此次的MCU产品可通过内置固件以3种方式（正弦波PWM、过调制、方波）进行电机控制。根据条件在这3种方式之间切换，可进行效率更高的控制，因此能够在无软件负荷的情况下，实现比原来速度更快、性能更高的电机控制。另外，瞄准双电机的RH850/C1H还配备了高性能CPU内核（瑞萨电子的RH850G3M），可运行独立于上述可锁步运行的CPU之外的程序。
新产品为了满足功能安全标准（ISO26262）而配备了大量安全机制。例如前面提到的，主CPU内核可锁步运行。另外，还以闪存等存储器为对象，配备了ECC（Error Check And Correct）功能。而且还对R/D转换器（RDC2）设置了诊断功能。
新产品将从2016年5月开始量产，计划月产10万个。新产品的样品价格方面，RH850/C1H为1.2万日元，RH850/C1M为1万日元。新产品可与目前正在样品供货的RH850系列用电源管理IC“RAA270000KFT”组合使用。该电源管理IC集成有MCU运行所需的全部電源、两个外部传感器电源用跟踪器以及多种状态监控及电路诊断功能，通过与MCU组合使用，可减轻用户的电源设计负担。
另外，瑞萨预定在2014年9月2日于东京都港区举行的内部展会“Renesas DevCon Japan 2014”上，介绍使用此次新产品的电动汽车驱动电机用逆变器。（记者：小岛 郁太郎，《日经电子》）
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