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宜普公司的应用专家在六月十七日于上海举行的PCIM Asia技术研讨会展示氮化镓器件在无线电源传送应用的优势。演讲者为应用工程执行总监Michael de Rooij博士。
EPC之前已展示了氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）可推动采用电压模式D类系统的无线电源传送应用实现超过70%的峰值效率，这也是比等效ＭＯＳＦＥＴ版本的总效率高出４％。在PCIM Asia,我们将进一步展示与电压模式D类系统相比，如果使用相同线圈及器件负载，氮化镓场效应晶体管在E类无线电源传送系统可改善效率达20%。 该设计也可配合使用松散耦合线圈并在6.78 MHz的ISM频带工作。实验性的范例将展示氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）的特点如低封装寄生电感，使得E类系统可取得最优转换效率。设计范例将专注一个线圈之间的固定耦合及固定负载从而简化设计。我们设计实验性的配置使用EPC2012氮化镓场效应晶体管，可传送达30 W功率。
宜普电源转换公司的首席执行官及共同创办人Alex Lidow称：“我们非常高兴得到PCIM亚太区委员会选出我们的最新氮化镓技术议题，使得我们再次有机会与您见面及讨论氮化镓技术的最新发展。PCIM亚太区委员会的决定支持我们相信具备优越性能的氮化镓技术备受功率系统设计工程师们的关注及认同。”
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