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高整合电源管理、音讯、AC/DC与短距无线技术供货商Dialog Semiconductor plc (德商戴乐格半导体)日前宣布，推出业界首款数字脉波宽度调变(PWM)控制器，可轻松、有效率地驱动低成本、10W电源双极性接合晶体管(BJT)开关，以降低5V/2A智能型手机配适器和充电器的BOM成本。全新的iW1679可以让设计师以成本较低的BJT取代场效应晶体管(FET)，并因应智能型手机、多媒体平板计算机和消费性电子产品中，较低待机电源、更高轻型负载和主动式平均效率的市场趋势。由Dialog的Power Conversion Business Group(即之前的 iWatt Inc.) 开发的iW1679，实现了Dialog扩展其可寻址市场的目标。
iW1679采用Dialog的调节型多模式PWM/PFM控制，可动态变更BJT开关频率，所以能降低BOM成本并提高效率。这可将系统调整到最佳状态，以改善轻型负载效能、功耗和EMI。iW1679提供83%的高主动式平均效率，可在低达10%的负载下维持高效率，并以快速的待机复原时间，达成小于30mW的无负载待机电源。这可让设计师符合甚至超越新兴的全球能源标准，包括严格的欧洲CoC第5版，此规定要求76%的主动式平均效能，以及低达10%负载的高轻载效率；其次是所提议的美国DoE规定，此规定预计将要求79%的主动式平均效率；最后是能源之星EPS 2.0，此项规定将要求73%的主动式平均效率。
Dialog的Power Conversion Business Group副总裁兼总经理Ron Edgerton表示：“在5W和较低电源供应器中采用BJT是相当普遍的作法，而Dialog则是此领域的主要供货商，提供样式齐全、专为驱动BJT而设计的数字PWM控制器。我们透过iW1679应用这项广泛的知识，将相同的低成本、高效率和效能优点，带入功率更高的电源应用。”
与FET相较，BJT虽然能将成本压得更低，但BJT的驱动需求却较为复杂。iW1679采用Dialog专利的数字控制技术，主动调节BJT基极电流驱动，以克服这项难题。这可避免BJT达到饱和状态，以发挥最佳效能并改善效率。由于BJT的开关比FET更为温和，因此所产生的噪音较低，使得固有的EMI也较低。iW1679采用Dialog的EZ-EMI，这是一项内部的EMI技术，采用波谷式切换以进一步降低EMI，可简化制造流程，将对外部EMI过滤组件的需求减至最低程度。本装置也包含专利的切换模式，可以让控制器不发出噪音。
与采用FET的设计相较，iW1679最多可降低10%的BOM成本。此外，Dialog专利的PrimAccurate主侧控制技术，可免除对次侧稳压器及光学反馈隔离器的需求，因此能进一步节省BOM 成本。
iW1679提供可由使用者配置的四层缆线置放补偿选项，排除了为符合各种输出电压需求，而存放多种产品版本的订购及库存难题。本装置采用标准、低成本的8引脚SOIC封装，并针对不同错误情况提供完整防护，包括输出短路、输出过量电压、输出过量电流，以及超温防护。
iW1679主要功能
●输出功率：5W到10W
●驱动低成本、10W的BJT电源开关，以降低BOM成本
●专利的PrimAccurate主侧控制可增强可靠性、减少解决方案大小、降低BOM成本
●专利的调节型多模式PWM/PFM能最佳化轻负载效率、EMI及功耗
●正在申请专利的准谐振控制能最佳化各种负载的效能
●高83%的主动式平均效能
●超低<30mW的待机功耗
●符合严格的全球能源效率标准，包括：美国DoE、欧洲CoC第5版、能源之星EPS 2.0
iW1679现已进入量产阶段。
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