Vishay发布新款高精度薄膜SMD环绕片式电阻阵列-佳工网




Vishay发布新款高精度薄膜SMD环绕片式电阻阵列 8/30/2012

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（点击放大）器件具有+215℃工作温度、负载寿命稳定性-0.7%漂移和10ppm/℃严格TCR 宾夕法尼亚、MALVERN — 2012 年 8 月30 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，发布新系列适用于高温钻井和航空应用的高精度薄膜SMD环绕片式电阻阵列---PRAHT。新的PRAHT四电阻网络的工作温度为-55℃～+215℃，最高存储温度为+230℃，是业内首个采用薄膜技术制造的电阻阵列。今天发布的Vishay Sfernice器件是油位和压力传感器、钻井勘探工具和航空发动机，以及刹车系统的绝佳选择。除高温性能外，电阻网络在额定功率、+215℃条件下工作2000小时后的负载寿命稳定率，仅有0.7%阻值漂移，具有10ppm/℃的严格TCR和2ppm/℃的TCR跟踪，电阻比的容差低至0.05%。 PRAHT系列的节距为1mm、1.35mm或1.82mm，阻值为10Ω～2MΩ，每个电阻的功率等级为10mW～20mW。器件具有小于-35dB的低噪声，电压系数小于0.01ppm/V。符合RoHS的电阻网络提供工作温度可达+230℃的金端接，或温度为+200℃的SnAg端接。器件规格表：（图片） Vishay的新款PRAHT电阻网络现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十周。