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| 嘉铭激光 | |
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随着集成电路外形的变小，电路导线之间的绝缘间隙也越来越窄。单切面临的问题在于低介电常数材料是很软的。所以传统的钻石圆锯会对电路造成包括脱层在内的巨大损害。不过，对于不生产内存设备的厚晶圆来说，激光锯切的成本不是很划算，当前还不是很实用。
因此，现在首选的方法是混合工艺。特别地，355纳米调Q半导体泵浦固体激光器被用来切割松软的外延层以消除开裂。接下来使用机械锯切来切割晶圆。如果晶圆设计中电路之间的芯片间隔较宽，激光可以单程沿着每一条芯片间隔边缘进行窄刻划。如果芯片间隔较窄，需要使用多条并行光束进行单次宽刻划，宽度要足够容纳锯片切割。在同样的处理速度下，前一种工艺需要的激光能量更少，也就是工艺成本更低，因此常被使用。这种工艺的关键激光参数是光束质量和高重复频率。这种应用的典型激光器是AVIA 355-23-250，能够提供需要的每脉冲30微焦耳的光束质量，并且M2值小于1.3。另外，其重复频率为250千赫，在50%脉冲波动叠加时支持200毫米/秒的刻划速度。
随着电子元器件的尺寸越来越小，材料的不断进步，激光刻划的吸引力将继续扩大，逐渐成为经济上可行的工艺。而且，随着激光制造商们不断改善其产品的性能、可靠性和拥有成本，激光刻划的应用领域将更加广泛。
11/4/2012 | |
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