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| 新型MOSFET满足高速开关等三大关键性能 | |
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现在人们关注“平板电视”和“太阳能电池”，这两个领域都注重环保理念，需要进行低损耗、高效率的产品开发。
在LCD-TV领域，为了减小电压转换时的电力损耗和显示屏电力损耗，已经采用了“直流变频方式”这种新的电源方式。这是一种将通常进行AC/DC转换降压后联接变频电路的地方从PFC直接输入电压通过高耐压MOSFET使其进行变频动作的电路方式。
在太阳能电池的领域里，将太阳光的能量转变成DC电压之后，在转换到商业用AC线路时的变频电路中使用了高耐压设备以减小电能损耗。
在这两个领域中，对高耐压MOSFET有更新的性能要求：低导通电阻，给高速开关配置高速Trr(反向恢复时间)。
用于平板电视的直流变频方式的MOSFET，由于开关频率约为60KHz，与电机等相比较快，所以开关时的电能损耗受到重视。
一般情况下，会在MOSFET的漏极/源极之间并列使用快速恢复二极管(FRD)，但是，如果MOSFET的Trr较快，就无需使用RFD(图1)。因此，要求高耐压MOSFET具有高速开关和高速Trr的性能。
在太阳能电池、电力调节器内的变频电路，由于要通过20A以上的大电流，目前多会使用IGBT。IGBT在大电流领域里显示出较低的饱和电压，但由于在结构上与MOSFET不同，没有内置二极管，所以必须配置外置FRD。但如果MOSFET的Trr较快，这个FRD可以省掉(图1)。因此，要求高耐压MOSFET具有IGBT饱和电压以下的低导通电阻和高速Trr的性能。 （图片） （图片） | |
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